Processo de 2nm da TSMC tem densidade de defeitos (D0) menor do que antecessores
A TSMC divulgou em um simpósio recente nos EUA qual é a densidade de defeitos (D0) para seu processo mais recente, o N2, que resulta em litografia de 2nm. A empresa mostrou que mudar para uma nova tecnologia de fabricação não lhe causou problemas, atingindo uma densidade menor que a dos processos antecessores, na mesma altura da produção.
O gráfico abaixo compara a densidade de defeitos dos últimos processos da empresa, desde o N7 e N6 até o N2. O eixo do tempo compara as gerações em relação à sua altura na produção. O N2 está a dois trimestres de começar a ser produzido em massa, então é ali que sua linha, azul, para.
Combinando com outros processos da TSMC no mesmo momento, dois trimestres antes da produção em massa, podemos ver que o N2 tem a menor densidade de defeitos entre todos eles.
A densidade diminui conforme a produção avança. É possível ver que N7 e N6 nunca chegaram ao mínimo alcançado pelos mais recentes. O N5 e N4 foram os que tiveram os defeitos diminuindo mais rápido, mas o N3 e N3P alcançaram a mesma densidade eventualmente.
TSMC não tem medo do gate-all-around
O que mais chama a atenção no gráfico é que o processo N2 vai marcar a primeira vez que a TSMC usa gate-all-around (GAA) na fabricação de chips. Gerações anteriores empregavam o muito mais estabelecido FinFET.
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A introdução de uma nova tecnologia não raro causa problemas, mas neste caso parece que pelo menos na parte de densidade de defeitos a tecnologia GAA não trouxe problemas para a gigante taiwanesa dos semicondutores.
Talvez seja também por isso que a empresa já quis se antecipar e revelar sua futura litografia de 1,4nm logo nessa semana, prometendo alcançar produção em massa da tecnologia logo em 2028. Enquanto isso, o processo N2 já conta com clientes confirmados para suas primeiras levas de chips.
Via: Tom’s Hardware