AMD Ryzen 7 9800X3D tem “silício falso” em sua estrutura, afirma analista
O atual processador rei dos games usa uma espécie de “silício falso” para manter a integridade de sua estrutura interna. O analista de semicondutores Tom Wassick deu uma olhada na composição interna de um AMD Ryzen 7 9800X3D e chegou à conclusão de que esse componente é a maior parte do chip.
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Além disso, ele viu um dos maiores diferenciais dessa geração de processadores com a tecnologia 3D V-Cache: o módulo SRAM, que comporta a memória cache L3 e X3D, abaixo do CCD (complexo de núcleos Zen 5), algo já conhecido antes.
Estrutura interna do Ryzen 7 9800X3D é delicada
O mais curioso do achado de Wassick é em relação a um possível espaço vazio de silício no die do Ryzen 7 9800X3D. O analista afirma que a memória 3D V-Cache do processador é 50 µm maior que o CCD em todos os quatro lados. Diferente dos Ryzen 7000X3D, em que o SRAM é 30,3 µm menor que o CCD.
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Em relação à espessura, ambos os dies são mais finos que a geração anterior, medindo menos que 20 µm sem as conexões internas. Para comportar esses componentes tão pequenos e frágeis, a solução da AMD, segundo o analista, foi adicionar o silício vazio ou falso para manter a integridade de toda a estrutura do chip.
9800X3D XSec Highlights:
o Both CCD and SRAM are thinned (sub 10 um) , so thick “dummy Si” oxide oxide bonded to the stack
o SRAM Si area is larger than the CCD — there’s a 50 um “oxide edge” for the CCD
o As with the 2nd gen, the BPV’s are terminated on the Al of the CCD
— Tom Wassick (@wassickt) December 17, 2024
Vale ressaltar que, apesar do chip ter sido analisado por uma pessoa que entende do assunto, isso não passa de especulação e a palavra final teria que vir da própria AMD. O que sabemos é que, com a SRAM e o cache 3D abaixo do CCD no Ryzen 7 9800X3D, houve um aumento de desempenho e esse é um dos motivos pelo qual a CPU se tornou o melhor processador para jogos da atualidade.
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