Processo de 2 nm da TSMC entregará SRAM mais refinada que Intel 18A
Entre as diversas tecnologias que compõem um processador, a memória cache é uma das mais importantes. Ela usa tecnologia SRAM e, de acordo com um documento referente a uma feira de circuitos que acontecerá em 2025, a densidade e tamanho da célula da memória SRAM feita no processo de 2 nm da TSMC é consideravelmente mais refinado que a litografia 18A da Intel.
Clique e siga o Canaltech no WhatsApp Quais os tipos de memória cache? O que é cache?
Parte do processo de fabricação TSMC N2, que está previsto para começar no segundo semestre de 2025, foi apresentado no documento da International Solid-State Circuits Conference, que acontece em fevereiro do próximo ano nos EUA.
Apesar dos 1,8 nm do Intel 18A, o tamanho da célula SRAM nesse processo é de 0,0210 µm², o que leva a uma densidade de 31,8 Mb/mm². Com o node N2, a TSMC promete entregar células de 0,175 µm², resultando em 38 Mb/mm². Ou seja, mais memória em um espaço específico.
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Refinamento de SRAM beneficiará diferentes tecnologias
Segundo o documento, o Intel 18A entrega um resultado mais parecido com o TSMC N3, de 3 nm. Este, por sua vez, já é mais refinado que a solução da Intel, com células medindo 0,0199 µm², número que será ainda menor a partir da segunda metade de 2025 com a TSMC.
A TSMC, líder na indústria de semicondutores, estreará o processo de 2 nm em 2025 (Foto: TSMC/Divulgação)
Enxugar cada vez mais o tamanho da memória SRAM é um processo bastante complexo, por isso os números mudam pouco entre gerações. O processo de fabricação é delicado e as exigências operacionais para estabilidade e confiabilidade são altas.
Os benefícios são memórias mais rápidas e em maior quantidade com SRAM. Essa tecnologia é usada não só na memória cache dos processadores, mas também em cache de SSDs, roteadores, eletrônicos como smartphones, entre outros.
Novidades sobre a indústria de semicondutores, principalmente voltada para chips para IA, serão reveladas durante a conferência em fevereiro nos EUA.
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